发明公开
- 专利标题： CAPACITOR COMPRISING ANTI-FERROELECTRIC LAYERS AND HIGH-K DIELECTRIC LAYERS
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申请号： US18673308申请日： 2024-05-24
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公开(公告)号： US20240313040A1公开(公告)日： 2024-09-19
- 发明人: Se Hun KANG
- 申请人： SK hynix Inc.
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： SK hynix Inc.
- 当前专利权人： SK hynix Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 优先权： KR 20200059056 2020.05.18
- 分案原申请号： US17095889 2020.11.12
- 主分类号： H01L29/51
- IPC分类号： H01L29/51 ; H10B53/30 ; H10B51/20
摘要：
A semiconductor device includes a first electrode, a second electrode, and a multi-layer stack positioned between the first electrode and the second electrode, the multi-layer stack including at least one anti-ferroelectric layer and at least one high-k dielectric layer.
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