Apparatus for producing crystalline semiconductor material

Invention Grant

US3212858A Apparatus for producing crystalline semiconductor material 失效

Title translation: 晶体半导体材料的制造装置

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Espacenet

IPC分类:

C	化学；冶金
C30	晶体生长
C30B	单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置
C30B15/00	熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B27/00）
C30B15/14	.熔融液或已结晶化材料的加热