发明授权
- 专利标题： Dual growth rate method of depositing epitaxial crystalline layers
- 专利标题（中）： 沉积外延晶体层的双生长速率法
-
申请号： US38919273申请日： 1973-08-17
-
公开(公告)号： US3885061A公开(公告)日： 1975-05-20
- 发明人: CORBOY JOHN FRANCIS , CULLEN GLENN WHERRY , PASTAL NICHOLAS
- 申请人： RCA CORP
- 专利权人： RCA Corp
- 当前专利权人： RCA Corp
- 优先权： US38919273 1973-08-17
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; C23C16/44 ; C30B29/06 ; H01L21/20 ; H01L21/205 ; H01L21/86 ; H01L27/12 ; C23C11/00
摘要：
Method of forming an epitaxial crystalline layer on a crystalline substrate by depositing a first portion at a rapid growth rate and a second portion at a slower growth rate.
信息查询
IPC分类:
