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发明授权
US3939035A Method of producing monocrystalline semiconductor material, particularly silicon, with adjustable dislocation density 失效
制造具有可调位错密度的单晶半导体材料，特别是硅的方法

  • 专利标题： Method of producing monocrystalline semiconductor material, particularly silicon, with adjustable dislocation density
  • 专利标题（中）： 制造具有可调位错密度的单晶半导体材料，特别是硅的方法
  • 申请号： US462936
    申请日： 1974-04-22
  • 公开(公告)号： US3939035A
    公开(公告)日： 1976-02-17
  • 发明人: Wolfgang Keller
  • 申请人： Wolfgang Keller
  • 申请人地址： DT Munich & Berlin
  • 专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
  • 当前专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
  • 当前专利权人地址： DT Munich & Berlin
  • 优先权： DT2115650 19710331
  • 主分类号： C30B13/20
  • IPC分类号： C30B13/20 ;  C30B13/28 ;  B01J17/18
Method of producing monocrystalline semiconductor material, particularly silicon, with adjustable dislocation density
摘要：
A method for obtaining a homogeneous dislocation density in a semiconductor rod, by first subjecting the semiconductor rod in a known manner, to a crucible-free zone melting process whereby it becomes monocrystalline and free of dislocations, and thereafter an annealing zone is moved through the rod, under specified conditions.
摘要（中）：

通过首先使半导体棒以已知的方式进行无坩埚区熔融处理，从而获得半导体棒中的均匀位错密度的方法，由此其变为单晶并且没有位错，然后退火区移动通过 杆，在规定的条件下。

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