发明授权
US4273594A Gallium arsenide devices having reduced surface recombination velocity
失效
具有降低的表面复合速度的砷化镓器件
- 专利标题： Gallium arsenide devices having reduced surface recombination velocity
- 专利标题（中）： 具有降低的表面复合速度的砷化镓器件
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申请号： US82002申请日： 1979-10-05
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公开(公告)号： US4273594A公开(公告)日： 1981-06-16
- 发明人: Adam Heller , Harry J. Leamy , Barry Miller , Ronald J. Nelson , Bruce A. Parkinson
- 申请人： Adam Heller , Harry J. Leamy , Barry Miller , Ronald J. Nelson , Bruce A. Parkinson
- 申请人地址： NJ Murray Hill
- 专利权人： Bell Telephone Laboratories, Incorporated
- 当前专利权人： Bell Telephone Laboratories, Incorporated
- 当前专利权人地址： NJ Murray Hill
- 主分类号： H01L29/207
- IPC分类号： H01L29/207 ; H01L31/07 ; H01L31/18 ; H01L31/04 ; H01L21/306
摘要：
Semiconductor devices using chemically treated n-type GaAs have greatly reduced surface recombination velocities. A preferred embodiment uses fractional monolayers of ruthenium on the GaAs surface.
公开/授权文献
- USD416362S Vacuum cleaner 公开/授权日：1999-11-09
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IPC分类:
