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发明授权
US4331710A Method of forming an insulation film on semiconductor device surface 失效
在半导体器件表面上形成绝缘膜的方法

  • 专利标题： Method of forming an insulation film on semiconductor device surface
  • 专利标题（中）： 在半导体器件表面上形成绝缘膜的方法
  • 申请号： US212083
    申请日： 1980-09-08
  • 公开(公告)号： US4331710A
    公开(公告)日： 1982-05-25
  • 发明人: Takao Nozaki , Takashi Ito
  • 申请人： Takao Nozaki , Takashi Ito
  • 申请人地址： JPX Kanagawa
  • 专利权人： Fujitsu Limited
  • 当前专利权人： Fujitsu Limited
  • 当前专利权人地址： JPX Kanagawa
  • 主分类号： H01L21/318
  • IPC分类号： H01L21/318
Method of forming an insulation film on semiconductor device surface
摘要：
In a method of forming an insulating film on the surface of a silicon substrate, a silicon nitride film is formed on such surface by direct thermal nitridation. The nitridation is initially in an ambient gas of nitrogen whereby a comparatively thick silicon nitride film is formed. The ambient gas is then changed to ammonia or a mixture of an inert gas and ammonia to densify the silicon nitride film. The resultant film is useful as an insulating film in semiconductor devices, masks for impurity diffusion and selective oxidation in the manufacture thereof.
摘要（中）：

PCT No.PCT / JP79 / 00039 Sec。 371日期1980年9月8日第 102（e）1980年9月8日PCT申请日1979年2月19日PCT公布。 出版物WO80 / 01739 日本1980年8月21日。在硅衬底表面上形成绝缘膜的方法中，通过直接热氮化在这种表面上形成氮化硅膜。 氮化最初处于氮气的环境气体中，由此形成较厚的氮化硅膜。 然后将环境气体变为氨或惰性气体和氨的混合物以致密化氮化硅膜。 所得膜可用作半导体器件中的绝缘膜，其制造中用于杂质扩散和选择性氧化的掩模。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/318 .......由氮化物组成的无机层
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