发明授权
- 专利标题： Method of restoring semiconductor device performance
- 专利标题（中）： 恢复半导体器件性能的方法
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申请号： US238726申请日： 1981-02-27
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公开(公告)号： US4341594A公开(公告)日： 1982-07-27
- 发明人: Richard O. Carlson , Alexander J. Yerman
- 申请人： Richard O. Carlson , Alexander J. Yerman
- 申请人地址： NY Schenectady
- 专利权人： General Electric Company
- 当前专利权人： General Electric Company
- 当前专利权人地址： NY Schenectady
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/306 ; H01L21/3213 ; C23F1/00 ; B44C1/22 ; C03C15/00 ; C03C25/06
摘要：
Contaminant metal residue on an organic passivation layer of a semiconductor device is removed by plasma etching thereof whereby the performance of the device is restored.
公开/授权文献
- US4961940A Coated foodstuff 公开/授权日：1990-10-09
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IPC分类:
