发明授权
US4348545A Process for mounting a protection diode on a vertical multijunction
photovoltaic cell structure and photovoltaic cells obtained
失效
将保护二极管安装在所获得的垂直多结光伏电池结构和光伏电池上的工艺
- 专利标题： Process for mounting a protection diode on a vertical multijunction photovoltaic cell structure and photovoltaic cells obtained
- 专利标题（中）： 将保护二极管安装在所获得的垂直多结光伏电池结构和光伏电池上的工艺
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申请号： US229262申请日： 1981-01-28
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公开(公告)号： US4348545A公开(公告)日： 1982-09-07
- 发明人: Jacques Arnould
- 申请人： Jacques Arnould
- 申请人地址： FRX Paris
- 专利权人： Le Silicium Semiconducteur SSC
- 当前专利权人： Le Silicium Semiconducteur SSC
- 当前专利权人地址： FRX Paris
- 优先权： FRX8002253 19800201
- 主分类号： H01L25/04
- IPC分类号： H01L25/04 ; H01L31/043 ; H01L31/06 ; H01L31/18
摘要：
In a stack of diodes forming a vertical multijunction photovoltaic cell, an inversely connected diode is firmly secured to this stack with possible insertion of a intermediate wafer made from a conducting material.
公开/授权文献
- US5426875A Reversible tooth with adjustable attack angle 公开/授权日：1995-06-27
信息查询
IPC分类:
