发明授权
- 专利标题： Semiconductor transducers employing ion implantation terminal configurations
- 专利标题（中）： 采用离子注入端子配置的半导体传感器
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申请号： US297250申请日： 1981-08-28
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公开(公告)号： US4410871A公开(公告)日： 1983-10-18
- 发明人: Joseph R. Mallon , Anthony D. Kurtz
- 申请人： Joseph R. Mallon , Anthony D. Kurtz
- 申请人地址： NJ Ridgefield
- 专利权人： Kulite Semiconductor Products
- 当前专利权人： Kulite Semiconductor Products
- 当前专利权人地址： NJ Ridgefield
- 主分类号： G01L9/00
- IPC分类号： G01L9/00 ; G01L1/22
摘要：
There is disclosed a semiconductor pressure transducer which employs a piezoresistive array fabricated on the surface of a thin substrate member and having the piezoresistors coupled to metallic contacts via ion implanted terminal leads.
公开/授权文献
- US5651231A Valving 公开/授权日：1997-07-29
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