发明授权
US4789421A Gallium arsenide superlattice crystal grown on silicon substrate and
method of growing such crystal
失效
在硅衬底上生长的砷化镓超晶格晶体和生长这种晶体的方法
- 专利标题： Gallium arsenide superlattice crystal grown on silicon substrate and method of growing such crystal
- 专利标题（中）： 在硅衬底上生长的砷化镓超晶格晶体和生长这种晶体的方法
-
申请号： US780910申请日： 1985-09-27
-
公开(公告)号： US4789421A公开(公告)日： 1988-12-06
- 发明人: Masayoshi Umeno , Shiro Sakai , Tetsuo Soga
- 申请人： Masayoshi Umeno , Shiro Sakai , Tetsuo Soga
- 申请人地址： JPX
- 专利权人： Daidotokushuko Kabushikikaisha
- 当前专利权人： Daidotokushuko Kabushikikaisha
- 当前专利权人地址： JPX
- 优先权： JPX59-213188 19841009
- 主分类号： C30B29/40
- IPC分类号： C30B29/40 ; C30B29/42 ; H01L21/18 ; H01L21/205 ; H01L29/267
摘要：
A GaAs growth crystal comprises a Si substrate, an intermediate layer formed on the substrate and a GaAs layer grown on the intermediate layer. The intermediate layer includes constituent GaP/GaAsP and GaAsP/GaAs superlattice layers and additionally AlP and AlGaP thin films.
公开/授权文献
- US5791533A System for mounting a spare tire on a vehicle 公开/授权日：1998-08-11
信息查询
IPC分类:
