发明授权
- 专利标题： Apparatus for manufacturing planarized aluminum films
- 专利标题（中）： 平面化铝膜制造装置
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申请号： US080200申请日： 1987-07-28
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公开(公告)号： US4865712A公开(公告)日： 1989-09-12
- 发明人: Donald M. Mintz
- 申请人： Donald M. Mintz
- 申请人地址： CA Palo Alto
- 专利权人： Varian Associates, Inc.
- 当前专利权人： Varian Associates, Inc.
- 当前专利权人地址： CA Palo Alto
- 主分类号： C23C14/54
- IPC分类号： C23C14/54 ; H01J37/34
摘要：
An apparatus for planarizing an aluminum layer on a semiconductor wafer includes two deposition sources. The first source applies a refractory metal silicide layer to form a barrier to oxygen. The wafer is moved to a second deposition source which is an aluminum sputter device including a heater for the wafer, R.F. bias on the wafer and a magnetic mirror behind the wafer to move the plasma away from the wafer.
公开/授权文献
- USD406396S Cosmetic container 公开/授权日：1999-03-02
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IPC分类:
