Method of controlling the order-disorder state in a semiconductor device

发明授权

US4879256A Method of controlling the order-disorder state in a semiconductor device 失效

标题翻译：控制半导体器件中的无序状态的方法

专利标题： Method of controlling the order-disorder state in a semiconductor device
专利标题（中）： 控制半导体器件中的无序状态的方法
申请号： US331063

申请日： 1989-03-28
公开(公告)号： US4879256A

公开(公告)日： 1989-11-07
发明人: John C. Bean , Abbas Ourmazd
申请人： John C. Bean , Abbas Ourmazd
申请人地址： NJ Murray Hill
专利权人： AT&T Bell Laboratories
当前专利权人： AT&T Bell Laboratories
当前专利权人地址： NJ Murray Hill
主分类号： G11C16/02
IPC分类号： G11C16/02 ; H01L27/146 ; H01L29/15 ; H01L29/80

摘要：

An ordered-disordered transition is observed in semiconductor alloys which enables either the ordered or disordered structure to be produced.

摘要（中）：

在半导体合金中观察到有序无序的转变，这使得可以产生有序或无序结构。

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