发明授权
US4933257A Positive quinone diazide photo-resist composition with antistatic agent
失效
具有抗静电剂的正醌二叠氮光致抗蚀剂组合物
- 专利标题： Positive quinone diazide photo-resist composition with antistatic agent
- 专利标题（中）： 具有抗静电剂的正醌二叠氮光致抗蚀剂组合物
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申请号： US408956申请日： 1989-09-18
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公开(公告)号： US4933257A公开(公告)日： 1990-06-12
- 发明人: Konoe Miura , Tameichi Ochiai , Yasuhiro Kameyama , Tooru Koyama , Takashi Okabe , Tomoharu Mametani
- 申请人： Konoe Miura , Tameichi Ochiai , Yasuhiro Kameyama , Tooru Koyama , Takashi Okabe , Tomoharu Mametani
- 申请人地址： JPX Tokyo JPX Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha,Mitsubishi Chemical Industries Limited
- 当前专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha,Mitsubishi Chemical Industries Limited
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo JPX Tokyo
- 优先权： JPX61-242793 19861013
- 主分类号： G03C1/00
- IPC分类号： G03C1/00 ; G03F7/004 ; G03F7/022 ; H01L21/027
摘要：
Disclosed herein is an antistatic photo-resist containing an antistatic agent. Since antistatic photo-resist according to the present invention is hardly charged, it can be suitably used as a mask in implanting ions into semiconductor substrate.
公开/授权文献
- USRE35761E Display or storage unit 公开/授权日：1998-04-07
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