利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
US4960725A Semiconductor device and manufacturing process for providing device regions on the semiconductor device and isolation regions to isolate the device regions from each other. 失效
用于在半导体器件和隔离区域上提供器件区域以将器件区域彼此隔离的半导体器件和制造工艺。

  • 专利标题： Semiconductor device and manufacturing process for providing device regions on the semiconductor device and isolation regions to isolate the device regions from each other.
  • 专利标题（中）： 用于在半导体器件和隔离区域上提供器件区域以将器件区域彼此隔离的半导体器件和制造工艺。
  • 申请号： US222314
    申请日： 1988-07-19
  • 公开(公告)号： US4960725A
    公开(公告)日： 1990-10-02
  • 发明人: Tatsuo Noguchi
  • 申请人： Tatsuo Noguchi
  • 申请人地址： JPX Kawasaki
  • 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
  • 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
  • 当前专利权人地址： JPX Kawasaki
  • 优先权： JPX60-211557 19850925
  • 主分类号： H01L21/8234
  • IPC分类号： H01L21/8234 ;  H01L21/768 ;  H01L23/522 ;  H01L23/64 ;  H01L27/02 ;  H01L27/088 ;  H01L29/06
Semiconductor device and manufacturing process for providing device regions on the semiconductor device and isolation regions to isolate the device regions from each other.
摘要：
There is provided a semiconductor device which comprises device regions and isolation regions to isolate the device regions from each other on a semiconductor substrate, wherein field insulators are formed in the isolation regions and conduction layers for wiring are formed above the field insulators. An additional impurity buried layer having an opposite conductivity to the semiconductor substrate is formed under the field insulators. Therefore the first capacitance element is composed of the conductive layer, the impurity buried layer, and the field insulator therebetween. The second capacitance element is composed of the impurity buried layer, the semiconductor substrate, and a PN junction layer therebetween. Thus the first capacitance element and the second capacitance element are connected in series.
摘要（中）：

提供了一种半导体器件，其包括器件区域和隔离区域以在半导体衬底上彼此隔离器件区域，其中在绝缘区域中形成场绝缘体，并且在场绝缘体上形成用于布线的导电层。 在场绝缘体之下形成具有与半导体衬底相反的导电性的另外的杂质掩埋层。 因此，第一电容元件由导电层，杂质掩埋层和它们之间的场绝缘体构成。 第二电容元件由杂质掩埋层，半导体衬底和它们之间的PN结层组成。 因此，第一电容元件和第二电容元件串联连接。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
0/0