发明授权
- 专利标题： Semiconductor laser device
- 专利标题（中）： 半导体激光器件
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申请号： US523545申请日： 1990-05-15
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公开(公告)号： US5043994A公开(公告)日： 1991-08-27
- 发明人: Kenji Ikeda , Kimio Shigihara
- 申请人： Kenji Ikeda , Kimio Shigihara
- 申请人地址： JPX
- 专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX
- 优先权： JPX1-153188 19890615
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00 ; H01S5/125
摘要：
A semiconductor laser device having a relative wide active region and a distributed Bragg reflector facet wherein a relative high reflectance region one third of the active region width is centrally disposed on a surface of the laser through which light is emitted.
公开/授权文献
- US5844591A Multibeam laser recording apparatus 公开/授权日：1998-12-01
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