发明授权
- 专利标题： Semiconductor laser device
- 专利标题（中）： 半导体激光器件
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申请号： US693318申请日： 1991-04-29
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公开(公告)号： US5161164A公开(公告)日： 1992-11-03
- 发明人: Kimio Shigihara , Yutaka Nagai , Toshitaka Aoyagi
- 申请人： Kimio Shigihara , Yutaka Nagai , Toshitaka Aoyagi
- 申请人地址： JPX
- 专利权人： Mitsubishi Deni Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Mitsubishi Deni Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX
- 优先权： JPX2-228570 19900828
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00 ; H01S3/105 ; H01S3/107 ; H01S5/028 ; H01S5/062 ; H01S5/14 ; H01S5/34
摘要：
A semiconductor laser device includes a semiconductor laser element having a quantum well structure active layer having n levels of quantum states (n
公开/授权文献
- US5781328A Electro-optical modulator 公开/授权日：1998-07-14
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