发明授权
- 专利标题： Semiconductor device having an active layer made of InGaAlP material
- 专利标题（中）： 具有活性层的半导体器件制成的材料
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申请号： US695088申请日： 1991-05-03
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公开(公告)号： US5202895A公开(公告)日： 1993-04-13
- 发明人: Koichi Nitta , Masayuki Ishikawa , Yukie Nishikawa , Hideto Sugawara , Minoru Watanabe , Masaki Okajima , Genichi Hatakoshi
- 申请人： Koichi Nitta , Masayuki Ishikawa , Yukie Nishikawa , Hideto Sugawara , Minoru Watanabe , Masaki Okajima , Genichi Hatakoshi
- 申请人地址： JPX Kawasaki
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JPX Kawasaki
- 优先权： JPX2-117346 19900507; JPX2-221281 19900824; JPX3-1082 19910109
- 主分类号： H01S5/22
- IPC分类号： H01S5/22 ; H01S5/223 ; H01S5/32 ; H01S5/323 ; H01S5/343
摘要：
A semiconductor laser device comprises a compound semiconductor substrate, a first cladding layer formed on the substrate, an active layer formed on the first cladding layer, made of In.sub.1-y (Ga.sub.1-x Al.sub.x).sub.y P material (0.ltoreq.x
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