发明授权
- 专利标题： Method of semiconductor layer growth by MBE
- 专利标题（中）： 通过MBE生长半导体层的方法
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申请号： US133699申请日： 1993-10-08
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公开(公告)号： US5399521A公开(公告)日： 1995-03-21
- 发明人: Francis G. Celii , Yung-Chung Kao , Andrew J. Purdes
- 申请人： Francis G. Celii , Yung-Chung Kao , Andrew J. Purdes
- 申请人地址： TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： TX Dallas
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; C23C14/22 ; C30B23/02 ; C30B23/08 ; H01L21/203 ; H01L21/331 ; H01L21/66 ; H01L29/205 ; H01L29/73 ; H01L29/737
摘要：
Molecular beam epitaxy (202) with growing layer thickness control (206) by feedback of integrated mass spectormeter (204) signals. Examples include III-V compound structures with multiple AlAs, InGaAs, and InAs layers as used in resonant tunneling diodes.
公开/授权文献
- US4287648A Tire buffing blade 公开/授权日：1981-09-08
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