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发明授权
US5424237A Method of producing semiconductor device having a side wall film 失效
具有侧壁膜的半导体器件的制造方法

  • 专利标题： Method of producing semiconductor device having a side wall film
  • 专利标题（中）： 具有侧壁膜的半导体器件的制造方法
  • 申请号： US159776
    申请日： 1993-12-02
  • 公开(公告)号： US5424237A
    公开(公告)日： 1995-06-13
  • 发明人: Taiji Ema
  • 申请人： Taiji Ema
  • 申请人地址： JPX Kawasaki
  • 专利权人： Fujitsu Limited
  • 当前专利权人： Fujitsu Limited
  • 当前专利权人地址： JPX Kawasaki
  • 优先权： JPX62-286461 19871114
  • 主分类号： H01L21/3205
  • IPC分类号： H01L21/3205 ;  H01L21/8242 ;  H01L27/10 ;  H01L27/108 ;  H01L21/8232
Method of producing semiconductor device having a side wall film
摘要：
A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an insulation film formed on the semiconductor substrate, a film formed on the insulation film having a side wall, and a side wall film formed on the insulation film so as to surround the side wall of the film. The side wall film has a slope and satisfies a condition a>d, where a is a width of a bottom surface of the side wall film which is in contact with the insulation film, and d is a thickness of the film.
摘要（中）：

半导体器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的绝缘膜，形成在具有侧壁的绝缘膜上的膜和形成在绝缘膜上以围绕膜的侧壁的侧壁膜。 侧壁膜具有斜率并且满足条件a> d，其中a是与绝缘膜接触的侧壁膜的底面的宽度，d是膜的厚度。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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