发明授权
- 专利标题： Isolated DMOS IC technology
- 专利标题（中）： 隔离DMOS IC技术
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申请号： US904402申请日： 1992-06-24
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公开(公告)号： US5485027A公开(公告)日： 1996-01-16
- 发明人: Richard K. Williams , Richard A. Blanchard
- 申请人： Richard K. Williams , Richard A. Blanchard
- 申请人地址： CA Santa Clara
- 专利权人： Siliconix Incorporated
- 当前专利权人： Siliconix Incorporated
- 当前专利权人地址： CA Santa Clara
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/761 ; H01L21/8238 ; H01L27/088 ; H01L29/10 ; H01L29/78 ; H01L29/76 ; H01L29/00 ; H01L29/94
摘要：
In an integrated circuit, a wraparound isolation region capable of sustaining a high blocking voltage to a substrate encloses a variety of high voltage or low voltage device.
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