发明授权
- 专利标题： Method for fabricating a planar dielectric
- 专利标题（中）： 平面电介质的制造方法
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申请号： US469737申请日： 1995-06-06
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公开(公告)号： US5583078A公开(公告)日： 1996-12-10
- 发明人: John W. Osenbach
- 申请人： John W. Osenbach
- 申请人地址： NJ Murray Hill
- 专利权人： Lucent Technologies Inc.
- 当前专利权人： Lucent Technologies Inc.
- 当前专利权人地址： NJ Murray Hill
- 主分类号： H01L27/00
- IPC分类号： H01L27/00 ; H01L21/316 ; H01L21/768 ; H01L21/31
摘要：
Re-entrant angles in doped dielectrics produced from the decomposition of organo-silicon compounds are reduced or eliminated by the addition of a polar molecule to the dielectric deposition process.
公开/授权文献
- US4464829A Component lead bending apparatus 公开/授权日：1984-08-14
信息查询
IPC分类:
