发明授权
- 专利标题： Method for forming interconnection in semiconductor pattern device
- 专利标题（中）： 在半导体图案装置中形成互连的方法
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申请号： US778678申请日： 1997-01-03
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公开(公告)号： US5767013A公开(公告)日： 1998-06-16
- 发明人: Nae Hak Park , Chang Soo Kim , Yun Hee Kim
- 申请人： Nae Hak Park , Chang Soo Kim , Yun Hee Kim
- 申请人地址： KRX Chungcheongbuk-do
- 专利权人： LG Semicon Co., Ltd.
- 当前专利权人： LG Semicon Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KRX Chungcheongbuk-do
- 优先权： KRX1996/35542 19960826
- 主分类号： H01L21/3205
- IPC分类号： H01L21/3205 ; H01L21/3213 ; H01L21/768 ; H01L21/4763
摘要：
A method for forming an interconnection pattern in a semiconductor device for reducing metallic reflection, includes the steps of forming a conductive layer on a substrate, polishing the conductive layer to form a rugged surface on the conductive layer, and selectively removing the polished conductive layer to form the interconnection pattern.
公开/授权文献
- US5228262A Anchor assembly 公开/授权日：1993-07-20
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IPC分类:
