发明授权
- 专利标题： Semiconductor circuit and semiconductor circuit device
- 专利标题（中）： 半导体电路和半导体电路器件
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申请号： US897036申请日： 1997-07-18
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公开(公告)号： US5815029A公开(公告)日： 1998-09-29
- 发明人: Hirotsugu Matsumoto
- 申请人： Hirotsugu Matsumoto
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Denki Kabsuhiki Kaisha
- 当前专利权人： Mitsubishi Denki Kabsuhiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX7-204793 19950810
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; G11C11/407 ; H01L21/822 ; H01L21/8238 ; H01L27/02 ; H01L27/092 ; H01L29/78 ; G05F3/02
摘要：
A semiconductor circuit is so constructed that one of a plurality of different potentials is supplied to sources of FETs via a switching circuit, so as to vary the threshold voltage of the FETs in accordance with the operating state of the semiconductor circuit, thereby decreasing the waste of power.
公开/授权文献
- US5344863A Viscosity index improver 公开/授权日：1994-09-06
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IPC分类:
