发明授权
US5959885A Non-volatile memory array using single poly EEPROM in standard CMOS
process
失效
在标准CMOS工艺中使用单个多层EEPROM的非易失性存储器阵列
- 专利标题： Non-volatile memory array using single poly EEPROM in standard CMOS process
- 专利标题（中）： 在标准CMOS工艺中使用单个多层EEPROM的非易失性存储器阵列
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申请号： US828151申请日： 1997-03-27
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公开(公告)号： US5959885A公开(公告)日： 1999-09-28
- 发明人: Kameswara K. Rao
- 申请人： Kameswara K. Rao
- 申请人地址： CA San Jose
- 专利权人： Xilinx, Inc.
- 当前专利权人： Xilinx, Inc.
- 当前专利权人地址： CA San Jose
- 主分类号： G11C16/08
- IPC分类号： G11C16/08 ; G11C16/10 ; G11C11/34
摘要：
Non-volatile storage elements are provided in an array on an integrated circuit, where the non-volatile storage elements are low voltage CMOS devices and hence compatible in a manufacturing sense with other similar transistors on an integrated circuit. The non-volatile storage elements are either EEPROM floating gate transistor cells, or other EEPROM cells using standard low voltage CMOS devices.
公开/授权文献
- US5152602A Electric candle 公开/授权日：1992-10-06
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