发明授权
- 专利标题： Process for preparing nitride film
- 专利标题（中）： 氮化膜制备方法
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申请号： US159092申请日： 1998-09-23
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公开(公告)号： US6106898A公开(公告)日： 2000-08-22
- 发明人: Yukichi Takamatsu , Takeo Yoneyama , Yoshiyasu Ishihama
- 申请人： Yukichi Takamatsu , Takeo Yoneyama , Yoshiyasu Ishihama
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Japan Pionics, Co., Ltd.
- 当前专利权人： Japan Pionics, Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX9-344183 19971128
- 主分类号： C23C16/34
- IPC分类号： C23C16/34
摘要：
A process for preparing a nitride film by a chemical vapor deposition method, which entails reacting a material gas including tert-butyl hydrazene as the main component as the main component of a nitrogen source with a material gas of an organometallic compound, a metal halide or a metal hydride to deposit the nitride film on a substrate.
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