发明授权
- 专利标题： Self-planarizing DRAM chip avoids edge flaking
- 专利标题（中）： 自平坦化DRAM芯片避免了边缘剥落
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申请号： US339728申请日： 1999-06-24
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公开(公告)号： US6130126A公开(公告)日： 2000-10-10
- 发明人: Takashi Iwakiri
- 申请人： Takashi Iwakiri
- 申请人地址： TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： TX Dallas
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; H01L21/02 ; H01L21/8242 ; H01L27/108
摘要：
The dummy oxide used to form DRAM capacitor cells is left in place over the peripheral transistors, reducing the height difference between the DRAM array and the peripheral circuitry and protecting against edge effects.
公开/授权文献
- US5678862A Indicating device 公开/授权日：1997-10-21
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