发明授权
- 专利标题： Process for fabrication of an all-epitaxial-oxide transistor
- 专利标题（中）： 制造全外延氧化物晶体管的工艺
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申请号： US09768172申请日： 2001-01-24
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公开(公告)号： US06350622B2公开(公告)日： 2002-02-26
- 发明人: James A. Misewich , Alejandro G. Schrott
- 申请人： James A. Misewich , Alejandro G. Schrott
- 主分类号： H01L2100
- IPC分类号： H01L2100
摘要：
A method and structure of forming an integrated circuit chip having a transistor includes forming a conductive oxide layer, forming a Mott transition oxide layer over the conductive oxide layer and forming an insulative oxide layer over the Mott transition oxide layer.
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