发明授权
- 专利标题： Multi-bit magnetic memory device
- 专利标题（中）： 多位磁记忆体装置
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申请号： US10235011申请日： 2002-09-03
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公开(公告)号： US06577529B1公开(公告)日： 2003-06-10
- 发明人: Manish Sharma , Thomas C. Anthony , Lung T. Tran
- 申请人： Manish Sharma , Thomas C. Anthony , Lung T. Tran
- 主分类号： G11C1100
- IPC分类号： G11C1100
摘要：
A memory cell includes a conductor clad with ferromagnetic material; first and second spacer layers on opposite sides of the clad conductor; a first data layer on the first spacer layer; and a second data layer on the second spacer layer.
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