Method of fabricating image sensors using a thin film photodiode above active CMOS circuitry

发明授权

US06709885B2 Method of fabricating image sensors using a thin film photodiode above active CMOS circuitry 有权

标题翻译：使用有源CMOS电路上的薄膜光电二极管制造图像传感器的方法

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专利标题： Method of fabricating image sensors using a thin film photodiode above active CMOS circuitry
专利标题（中）： 使用有源CMOS电路上的薄膜光电二极管制造图像传感器的方法
申请号： US10280253

申请日： 2002-10-25
公开(公告)号： US06709885B2

公开(公告)日： 2004-03-23
发明人: Jack S. Uppal , David B. Fraser , Stephen Bradford Gospe , Kevin M. Connolly
申请人： Jack S. Uppal , David B. Fraser , Stephen Bradford Gospe , Kevin M. Connolly
主分类号： H01L2100
IPC分类号： H01L2100

Method of fabricating image sensors using a thin film photodiode above active CMOS circuitry

摘要：

A method of fabricating an image sensor having pin photodiodes residing vertically atop underlying CMOS control circuitry. In the preferred technique, pin photodiodes fabricated in amorphous silicon are utilized.

摘要（中）：

一种制造具有垂直位于底层CMOS控制电路上的引脚光电二极管的图像传感器的方法。在优选的技术中，使用在非晶硅中制造的pin光电二极管。

公开/授权文献

US20030057357A1 Method of fabricating image sensors using a thin film photodiode above active CMOS circuitry 公开/授权日：2003-03-27

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