发明授权
US06768667B2 Semiconductor memory device 失效
半导体存储器件

  • 专利标题: Semiconductor memory device
  • 专利标题(中): 半导体存储器件
  • 申请号: US10254693
    申请日: 2002-09-25
  • 公开(公告)号: US06768667B2
    公开(公告)日: 2004-07-27
  • 发明人: Kurt HoffmannOskar Kowarik
  • 申请人: Kurt HoffmannOskar Kowarik
  • 优先权: DE10147137 20010925
  • 主分类号: G11C1124
  • IPC分类号: G11C1124
Semiconductor memory device
摘要:
A DRAM memory cell having an isolation transistor formed from a bipolar transistor.
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