Method of chemically altering a silicon surface and associated electrical devices

发明授权

US06822308B2 Method of chemically altering a silicon surface and associated electrical devices 失效

标题翻译：化学改变硅表面和相关电器件的方法

专利标题： Method of chemically altering a silicon surface and associated electrical devices
专利标题（中）： 化学改变硅表面和相关电器件的方法
申请号： US10600665

申请日： 2003-06-20
公开(公告)号： US06822308B2

公开(公告)日： 2004-11-23
发明人: Sheldon Aronowitz , Vladimir Zubkov
申请人： Sheldon Aronowitz , Vladimir Zubkov
主分类号： H01L2900
IPC分类号： H01L2900

摘要：

A method of chemically altering a silicon surface and associated dielectric materials are disclosed.

摘要（中）：

公开了一种化学改变硅表面和相关介电材料的方法。

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