发明授权
- 专利标题： High concentration indium fluorine retrograde wells
- 专利标题（中）： 高浓度铟氟逆行井
-
申请号： US10404878申请日： 2003-03-31
-
公开(公告)号： US06838329B2公开(公告)日： 2005-01-04
- 发明人: Cory E. Weber , Mark A. Armstrong , Stephen M. Cea , Giuseppe Curello , Sing-Chung Hu , Aaron D. Lilak , Max Wei
- 申请人： Cory E. Weber , Mark A. Armstrong , Stephen M. Cea , Giuseppe Curello , Sing-Chung Hu , Aaron D. Lilak , Max Wei
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/336 ; H01L21/8238 ; H01L29/167 ; H01L29/36
摘要：
A method and apparatus to form a high-concentration, indium-fluorine retrograde well within a substrate. The indium-fluorine retrograde well includes an indium concentration greater than about 3E18/cm3.
公开/授权文献
- US20040188767A1 High concentration indium fluorine retrograde wells 公开/授权日：2004-09-30