发明授权
- 专利标题： Method for manufacturing a semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件的制造方法
-
申请号： US09938528申请日： 2001-08-27
-
公开(公告)号： US06849521B2公开(公告)日： 2005-02-01
- 发明人: Koji Arita , Yasuhiro Uemoto
- 申请人： Koji Arita , Yasuhiro Uemoto
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 代理机构： Nixon Peabody LLP
- 代理商 Donald R. Studebaker
- 优先权： JP2000-263466 20000831
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/76 ; H01L21/762 ; H01L27/08 ; H01L27/12
摘要：
In a semiconductor layer formed on a first insulating film is formed an element isolation groove extending to the first insulating film. Thereafter, a second insulating film is deposited in the element isolation groove by using a vapor deposition method.
公开/授权文献
- US20020025654A1 Method for manufacturing a semiconductor device 公开/授权日：2002-02-28
信息查询
IPC分类:
