发明授权
- 专利标题： Langmuir-blodgett chemically amplified photoresist
- 专利标题（中）： Langmuir-blodgett化学放大光刻胶
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申请号： US10695103申请日： 2003-10-28
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公开(公告)号： US06864192B1公开(公告)日： 2005-03-08
- 发明人: Huey-Chiang Liou , Hai Deng , Wang Yueh , Hok-Kin Choi
- 申请人： Huey-Chiang Liou , Hai Deng , Wang Yueh , Hok-Kin Choi
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Trop, Pruner & Hu, P.C.
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/16 ; H01L21/31
摘要：
A Langmuir-Blodgett film may be utilized as a chemically amplified photoresist layer. Langmuir-Blodgett films have highly vertically oriented structures which may be effective in reducing line edge or line width roughness in chemically amplified photoresists.
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