发明授权
US06898121B2 Deep wordline trench to shield cross coupling between adjacent cells for scaled NAND
有权
深度字线沟槽，用于屏蔽相邻单元之间的交叉耦合，用于缩放NAND
- 专利标题： Deep wordline trench to shield cross coupling between adjacent cells for scaled NAND
- 专利标题（中）： 深度字线沟槽，用于屏蔽相邻单元之间的交叉耦合，用于缩放NAND
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申请号： US10353570申请日： 2003-01-28
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公开(公告)号： US06898121B2公开(公告)日： 2005-05-24
- 发明人: Henry Chien , Yupin Fong
- 申请人： Henry Chien , Yupin Fong
- 申请人地址： US CA Sunnyvale
- 专利权人： Sandisk Corporation
- 当前专利权人： Sandisk Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Sunnyvale
- 代理机构： Parsons Hsue & De Runtz LLP
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; G11C11/34 ; H01L21/8247 ; H01L27/115 ; H01L29/788 ; H01L29/792
摘要：
A NAND flash memory structure with a wordline or control gate that provides shielding from Yupin effect errors and generally from potentials in adjacent strings undergoing programming operations with significant variations in potential.
公开/授权文献
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