发明授权
US06912163B2 Memory device having high work function gate and method of erasing same
有权
具有高功函数门的存储器件及其擦除方法
- 专利标题： Memory device having high work function gate and method of erasing same
- 专利标题（中）： 具有高功函数门的存储器件及其擦除方法
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申请号： US10658506申请日： 2003-09-09
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公开(公告)号： US06912163B2公开(公告)日： 2005-06-28
- 发明人: Wei Zheng , Yun Wu , Hidehiko Shiraiwa , Mark T. Ramsbey , Tazrien Kamal
- 申请人： Wei Zheng , Yun Wu , Hidehiko Shiraiwa , Mark T. Ramsbey , Tazrien Kamal
- 申请人地址： US CA Sunnyvale
- 专利权人： FASL, LLC
- 当前专利权人： FASL, LLC
- 当前专利权人地址： US CA Sunnyvale
- 代理机构： Renner, Otto, Boisselle & Sklar, LLP
- 主分类号： H01L29/788
- IPC分类号： H01L29/788 ; H01L29/792 ; G11C16/04
摘要：
A charge trapping dielectric memory device. The memory device includes a gate electrode disposed over a dielectric stack that includes a dielectric charge trapping layer. The gate electrode has a work function of about 4.6 eV to about 5.2 eV.
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