发明授权
- 专利标题： Method for erasing a flash EEPROM
- 专利标题（中）： 擦除闪存EEPROM的方法
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申请号： US10354175申请日： 2003-01-30
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公开(公告)号： US06930926B2公开(公告)日： 2005-08-16
- 发明人: Yu-Shen Lin , Shin-Jang Shen , Chun-Hsiung Hung , Ho-Chun Liou , Shuo-Nan Hung
- 申请人： Yu-Shen Lin , Shin-Jang Shen , Chun-Hsiung Hung , Ho-Chun Liou , Shuo-Nan Hung
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Macronix International Co., Ltd.
- 当前专利权人： Macronix International Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Rabin & Berdo PC
- 优先权： TW91101712A 20020131
- 主分类号： G11C16/34
- IPC分类号： G11C16/34 ; G11C16/04 ; G11C16/06
摘要：
A method for erasing a flash EEPROM. The flash EEROM includes a number of memory units. First, the flash EEPROM is pre-programmed. Second, the step of erasing the flash EEPROM is performed and the flash EEPROM is then soft-programmed. Subsequently, the final step is performed to determine if the erasing step succeeds.
公开/授权文献
- US20030161187A1 Method for erasing a flash EEPROM 公开/授权日：2003-08-28
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