发明授权
- 专利标题： Shallow trench isolation process
- 专利标题（中）： 浅沟槽隔离工艺
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申请号： US10794010申请日： 2004-03-05
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公开(公告)号： US06960781B2公开(公告)日： 2005-11-01
- 发明人: Matthew T. Currie , Anthony J. Lochtefeld
- 申请人： Matthew T. Currie , Anthony J. Lochtefeld
- 申请人地址： US NH Salem
- 专利权人： Amberwave Systems Corporation
- 当前专利权人： Amberwave Systems Corporation
- 当前专利权人地址： US NH Salem
- 代理机构： Goodwin Procter, LLP
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L20060101 ; H01L21/00 ; H01L21/26 ; H01L21/336 ; H01L21/42 ; H01L21/76 ; H01L21/762 ; H01L21/8234 ; H01L21/8238 ; H01L27/00 ; H01L29/00 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/772 ; H01L31/0328 ; H01L31/0336 ; H01L31/072 ; H01L31/109
摘要：
A structure including a transistor and a trench structure, with the trench structure inducing only a portion of the strain in a channel region of the transistor.
公开/授权文献
- US20040173812A1 Shallow trench isolation process 公开/授权日：2004-09-09
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