发明授权
- 专利标题： Copper diffusion deterrent interface
- 专利标题（中）： 铜扩散阻止界面
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申请号： US10718865申请日： 2003-11-21
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公开(公告)号： US06987321B2公开(公告)日： 2006-01-17
- 发明人: Simon Chooi , Yakub Aliyu , Mei Sheng Zhou , John Leonard Sudijono , Subbash Gupta , Sudipto Ranendra Roy , Paul Kwok Keung Ho , Yi Xu
- 申请人： Simon Chooi , Yakub Aliyu , Mei Sheng Zhou , John Leonard Sudijono , Subbash Gupta , Sudipto Ranendra Roy , Paul Kwok Keung Ho , Yi Xu
- 申请人地址： SG Singapore
- 专利权人： Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
- 当前专利权人： Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
- 当前专利权人地址： SG Singapore
- 代理商 George O. Saile; Rosemary L. S. Pike; Stephen B. Ackerman
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48
摘要：
Method and product for forming a dual damascene interconnect structure, wherein depositing a copper sulfide interface layer as sidewalls to the opening deters migration or diffusing of copper ions into the dielectric material.
公开/授权文献
- US20040227247A1 Method to create a copper diffusion deterrent interface 公开/授权日：2004-11-18
信息查询
IPC分类:
