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发明授权
US06998323B2 Method of manufacturing a ferroelectric capacitor having iridium oxide lower electrode 失效
制造具有氧化铱下电极的铁电电容器的方法

  • 专利标题： Method of manufacturing a ferroelectric capacitor having iridium oxide lower electrode
  • 专利标题（中）： 制造具有氧化铱下电极的铁电电容器的方法
  • 申请号： US10461858
    申请日： 2003-06-11
  • 公开(公告)号： US06998323B2
    公开(公告)日： 2006-02-14
  • 发明人: Takashi Nakamura
  • 申请人： Takashi Nakamura
  • 申请人地址： JP Kyoto
  • 专利权人： Rohm Co., Ltd.
  • 当前专利权人： Rohm Co., Ltd.
  • 当前专利权人地址： JP Kyoto
  • 代理机构： Hamre, Schumann, Mueller & Larson P.C.
  • 优先权： JP6-2243 19940113; JP6-2245 19940113; JP6-2246 19940113; JP6-2247 19940113
  • 主分类号： H01L21/8242
  • IPC分类号： H01L21/8242
Method of manufacturing a ferroelectric capacitor having iridium oxide lower electrode
摘要：
It is an object of the present invention to provide a ferroelectric capacitor which maintains high ferroelecticity. A silicon oxide layer 2, a lower electrode 12, a ferroelectric layer 8 and an upper electrode 10 are formed on a silicon substrate 2. The lower electrode 12 is formed by an alloy layer made of iridium and platinum. The alloy layer of the lower electrode 12 can be formed under appropriate lattice constant correspond with a kind and composition of the ferroelectric layer 8. So that, a ferroelectric layer having excellent ferroelectricity can be obtained. Also, it is possible to prevent vacancy of oxygen in the ferroelectric layer 8.
摘要（中）：

本发明的目的是提供一种保持高铁电性的铁电电容器。 在硅衬底2上形成氧化硅层2，下电极12，铁电层8和上电极10.下电极12由铱和铂制的合金层形成。 下电极12的合金层可以根据铁电层8的种类和组成而适当的晶格常数形成。从而可以获得具有优异的铁电性的铁电层。 此外，可以防止铁电层8中的氧空位。

公开/授权文献
信息查询
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8242 .........动态随机存取存储结构（DRAM）
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