Method for manufacturing improved sidewall structures for use in semiconductor devices

发明授权

US07018888B2 Method for manufacturing improved sidewall structures for use in semiconductor devices 有权

标题翻译：用于制造用于半导体器件的改进的侧壁结构的方法

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专利标题： Method for manufacturing improved sidewall structures for use in semiconductor devices
专利标题（中）： 用于制造用于半导体器件的改进的侧壁结构的方法
申请号： US10902902

申请日： 2004-07-30
公开(公告)号： US07018888B2

公开(公告)日： 2006-03-28
发明人: Brian E. Goodlin , Amitava Chatterjee , Shirin Siddiqui , Jong S. Yoon
申请人： Brian E. Goodlin , Amitava Chatterjee , Shirin Siddiqui , Jong S. Yoon
申请人地址： US TX Dallas
专利权人： Texas Instruments Incorporated
当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
当前专利权人地址： US TX Dallas
代理商 Peter K. McLarty; W. James Brady, III; Frederick J. Telecky, Jr.
主分类号： H01L21/8238
IPC分类号： H01L21/8238

Method for manufacturing improved sidewall structures for use in semiconductor devices

摘要：

The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing an integrated circuit including the semiconductor device. The method for manufacturing a semiconductor device (100), among other steps, includes forming a gate structure (130) over a substrate (110), the gate structure (130) having sidewall spacers (210 or 410) on opposing sidewalls thereof and placing source/drain implants (310, 510) into the substrate (110) proximate the gate structure (130). The method further includes removing at least a portion of the sidewall spacers (210 or 410) and annealing the source/drain implants (310, 510) to form source/drain regions (710) after removing the at least a portion of the sidewall spacers (210 or 410).

摘要（中）：

本发明提供一种制造半导体器件的方法和用于制造包括该半导体器件的集成电路的方法。除了其他步骤之外，制造半导体器件（100）的方法包括在衬底（110）上形成栅极结构（130），所述栅极结构（130）在其相对的侧壁上具有侧壁间隔物（210或410）源极/漏极注入（310,510）到靠近栅极结构（130）的衬底（110）中。所述方法还包括：移除所述侧壁间隔物（210或410）的至少一部分并且在去除所述侧壁间隔物的所述至少一部分之后对所述源/漏植入物（310,510）进行退火以形成源极/漏极区域（710）（210或410）。

公开/授权文献

US20060024872A1 Method for manufacturing improved sidewall structures for use in semiconductor devices 公开/授权日：2006-02-02

信息查询

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8238	........互补场效应晶体管，例如CMOS