发明授权
US07022463B2 Near-field exposure photoresist and fine pattern forming method using the same
失效
近场曝光光刻胶和使用其的精细图案形成方法
- 专利标题： Near-field exposure photoresist and fine pattern forming method using the same
- 专利标题（中）： 近场曝光光刻胶和使用其的精细图案形成方法
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申请号： US10921184申请日： 2004-08-19
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公开(公告)号： US07022463B2公开(公告)日： 2006-04-04
- 发明人: Takako Yamaguchi , Ryo Kuroda
- 申请人： Takako Yamaguchi , Ryo Kuroda
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Fitzpatrick, Cella, Harper & Scinto
- 优先权： JP2003/298973 20030822
- 主分类号： G03F7/30
- IPC分类号： G03F7/30 ; G03F7/023
摘要：
A near-field photoresist for formation of a fine pattern with by near-field exposure includes an alkali-soluble novalac resin, a diazyde-type photosensitizer which is photoreactive by near-field exposure, a photoacid generator which generates acid by the near-field exposure, and a solvent.
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