发明授权
US07035027B2 Circuits to achieve high data rate writing on thin film transducer
有权
电路实现薄膜传感器上的高数据速率写入
- 专利标题： Circuits to achieve high data rate writing on thin film transducer
- 专利标题（中）： 电路实现薄膜传感器上的高数据速率写入
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申请号： US09974281申请日： 2001-10-09
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公开(公告)号： US07035027B2公开(公告)日： 2006-04-25
- 发明人: Raymond Elijah Barnett , Tuan Van Ngo , Scott Gary Sorenson
- 申请人： Raymond Elijah Barnett , Tuan Van Ngo , Scott Gary Sorenson
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 代理商 W. Daniel Swayze, Jr.; W. James Brady; Frederick J. Telecky, Jr.
- 主分类号： G11B5/09
- IPC分类号： G11B5/09 ; G11B5/02
摘要：
The present invention covers circuits to achieve high data rate writing.
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