发明授权
- 专利标题： Programming method for nonvolatile memory cell
- 专利标题（中）： 非易失性存储单元的编程方法
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申请号： US10895711申请日： 2004-07-08
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公开(公告)号： US07042763B1公开(公告)日： 2006-05-09
- 发明人: Yuri Mirgorodski , Pavel Poplevine , Peter J. Hopper , Andrew J. Franklin
- 申请人： Yuri Mirgorodski , Pavel Poplevine , Peter J. Hopper , Andrew J. Franklin
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Vedder Price Kaufman & Kammholz
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34
摘要：
A method of selectively programming nonvolatile memory cells in which multiple programming voltages are used to obtain the desired voltage on the storage nodes of the cells selected for programming, while the storage nodes of unselected cells remain undisturbed.
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