发明授权
- 专利标题： Schottky diode using charge balance structure
- 专利标题（中）： 肖特基二极管采用电荷平衡结构
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申请号： US10821796申请日： 2004-04-09
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公开(公告)号： US07061066B2公开(公告)日： 2006-06-13
- 发明人: Christopher Boguslaw Kocon
- 申请人： Christopher Boguslaw Kocon
- 申请人地址： US ME South Portland
- 专利权人： Fairchild Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： Fairchild Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： US ME South Portland
- 代理机构： Townsend and Townsend and Crew LLP
- 主分类号： H01L29/72
- IPC分类号： H01L29/72
摘要：
In accordance with an embodiment of the invention, a Schottky diode includes a metal layer in contact with a semiconductor region to form a Schottky barrier therebetween. A first trench extends in the semiconductor region. The first trench includes at least one electrode or diode therein.
公开/授权文献
- US20040256690A1 Schottky diode using charge balance structure 公开/授权日：2004-12-23
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