发明授权
- 专利标题： Phase-change memory devices
- 专利标题（中）： 相变存储器件
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申请号： US10814670申请日： 2004-03-31
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公开(公告)号： US07067837B2公开(公告)日： 2006-06-27
- 发明人: Young-Nam Hwang , Young-Tae Kim
- 申请人： Young-Nam Hwang , Young-Tae Kim
- 申请人地址： KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR
- 代理机构： Myers Bigel Sibley & Sajovec
- 优先权： KR10-2003-0020755 20030402
- 主分类号： H01L47/00
- IPC分类号： H01L47/00 ; H01L29/04
摘要：
Phase-change memory devices include a phase-change material layer and a first electrode having a contact area therebetween. The contact area extends into a recess of the first electrode to provide current density concentration.
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