发明授权
- 专利标题： Formation of finFET using a sidewall epitaxial layer
- 专利标题（中）： 使用侧壁外延层形成finFET
-
申请号： US10654631申请日： 2003-09-03
-
公开(公告)号： US07078299B2公开(公告)日： 2006-07-18
- 发明人: Witold P. Maszara , Jung-Suk Goo , James N. Pan , Qi Xiang
- 申请人： Witold P. Maszara , Jung-Suk Goo , James N. Pan , Qi Xiang
- 申请人地址： US TX Austi
- 专利权人： Advanced Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人： Advanced Micro Devices, Inc.
- 当前专利权人地址： US TX Austi
- 代理机构： Foley & Lardner, LLP
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
A method of forming a finFET transistor using a sidewall epitaxial layer includes forming a silicon germanium (SiGe) layer above an oxide layer above a substrate, forming a cap layer above the SiGe layer, removing portions of the SiGe layer and the cap layer to form a feature, forming sidewalls along lateral walls of the feature, and removing the feature.
公开/授权文献
- US20050048727A1 FORMATION OF FINFET USING A SIDEWALL EPITAXIAL LAYER 公开/授权日：2005-03-03
信息查询
IPC分类:
