发明授权
- 专利标题： Low triggering voltage ESD protection structure and method for reducing the triggering voltage
- 专利标题（中）： 低触发电压ESD保护结构和降低触发电压的方法
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申请号： US10234817申请日： 2002-09-04
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公开(公告)号： US07115951B1公开(公告)日： 2006-10-03
- 发明人: Vladislav Vashchenko , Ann Concannon , Peter J. Hopper , Marcel ter Beek , Yuri Mirgorodsky
- 申请人： Vladislav Vashchenko , Ann Concannon , Peter J. Hopper , Marcel ter Beek , Yuri Mirgorodsky
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： National Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理商 Jurgen Vollrath
- 主分类号： H01L23/62
- IPC分类号： H01L23/62
摘要：
In a triggering ESD protection structure, the triggering voltage is reduced by introducing one or more corners or spikes into the p-n breakdown junction. This may be done by providing a polygate with a zig-zag pattern to define triangular corners in the drain or anode of the structure.
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