发明授权
- 专利标题： Method for estimating EMI in a semiconductor device
- 专利标题（中）： 用于估计半导体器件中的EMI的方法
-
申请号： US11052788申请日： 2005-02-09
-
公开(公告)号： US07120551B2公开(公告)日： 2006-10-10
- 发明人: Shozo Hirano , Kenji Shimazaki
- 申请人： Shozo Hirano , Kenji Shimazaki
- 申请人地址： JP Osaka
- 专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Osaka
- 代理机构： McDermott Will & Emery LLP
- 优先权： JP2004-031951 20040209
- 主分类号： G06F19/00
- IPC分类号： G06F19/00
摘要：
The resistance value of a supply line (Rline), the resistance value of a decoupling capacitor (Rcap), and the resistance value of a transistor (Rmos) are separately calculated from mask layout information of a semiconductor integrated circuit. The resistance value between external terminals (Ri) is calculated from the resistance value Rline, the resistance value Rcap, and the resistance value Rmos.
公开/授权文献
- US20050177334A1 Resistance value calculation method 公开/授权日：2005-08-11
信息查询
