发明授权
- 专利标题： Method for fabricating a short channel field-effect transistor
- 专利标题（中）： 短沟道场效应晶体管的制造方法
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申请号： US10520743申请日： 2003-06-21
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公开(公告)号： US07129152B2公开(公告)日： 2006-10-31
- 发明人: Rodger Fehlhaber , Helmut Tews
- 申请人： Rodger Fehlhaber , Helmut Tews
- 申请人地址： DE
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE
- 代理机构： Brinks Hofer Gilson & Lione
- 优先权： DE10230696 20020708
- 国际申请： PCT/DE03/02072 WO 20030621
- 国际公布： WO2004/006314 WO 20040115
- 主分类号： H01L21/338
- IPC分类号： H01L21/338
摘要：
A method for fabricating a short channel field-effect transistor is presented. A sublithographic gate sacrificial layer is formed, as are spacers at the side walls of the gate sacrificial layer. The gate sacrificial layer is removed to form a gate recess and a gate dielectric and a control layer are formed in the gate recess. The result is a short channel field-effect transistor with minimal fluctuations in the critical dimensions in a range below 100 nanometers.
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